EPC2100

EPC2100

Pengeluar

EPC

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tatasusunan

Penerangan

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    eGaN®
  • pakej
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • ciri fet
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    30V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    10A (Ta), 40A (Ta)
  • rds on (maks) @ id, vg
    8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (maks) @ id
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • kuasa - maks
    -
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej/kes
    Die
  • pakej peranti pembekal
    Die

EPC2100 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 8148
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
6.94000
Harga sasaran:
Jumlah:6.94000

Lembaran data

Muat turun