Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  P-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  55 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  74A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  10V
• rds on (maks) @ id, vg
  20mOhm @ 38A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  4V @ 250µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  180 nC @ 10 V
• vgs (maks)
  ±20V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  3400 pF @ 25 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  200W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  TO-220AB
• pakej/kes
  TO-220-3