Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Tape & Reel (TR)
• status bahagian
  Obsolete
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  40 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  46A (Ta), 270A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  10V
• rds on (maks) @ id, vg
  1mOhm @ 160A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  4V @ 250µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  330 nC @ 10 V
• vgs (maks)
  ±20V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  11880 pF @ 25 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  3.8W (Ta), 125W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  DIRECTFET L8
• pakej/kes
  DirectFET™ Isometric L8