BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

Pengeluar

IR (Infineon Technologies)

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tatasusunan

Penerangan

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    OptiMOS™
  • pakej
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • ciri fet
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    25V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    19A, 39A
  • rds on (maks) @ id, vg
    3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    2V @ 250µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    1040pF @ 12V
  • kuasa - maks
    2.5W
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej/kes
    8-PowerTDFN
  • pakej peranti pembekal
    PG-TISON-8

BSG0810NDIATMA1 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 12254
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
2.66000
Harga sasaran:
Jumlah:2.66000

Lembaran data

Muat turun