FF200R12KT3HOSA1

FF200R12KT3HOSA1

Pengeluar

IR (Infineon Technologies)

kategori Produk

transistor - igbts - modul

Penerangan

IGBT MODULE 1200V 1050W

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    Trench Field Stop
  • konfigurasi
    2 Independent
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    1200 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    -
  • kuasa - maks
    1050 W
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • semasa - pemotongan pengumpul (maks)
    5 mA
  • kemuatan input (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • input
    Standard
  • ntc termistor
    No
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 125°C
  • jenis pelekap
    Chassis Mount
  • pakej/kes
    Module
  • pakej peranti pembekal
    Module

FF200R12KT3HOSA1 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 1273
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
125.73000
Harga sasaran:
Jumlah:125.73000

Lembaran data