IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1

Pengeluar

IR (Infineon Technologies)

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tatasusunan

Penerangan

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pakej
    Tape & Reel (TR)
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    2 N-Channel (Dual)
  • ciri fet
    Logic Level Gate
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    100V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    20A
  • rds on (maks) @ id, vg
    35mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    2.1V @ 16µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    17.4nC @ 10V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    1105pF @ 25V
  • kuasa - maks
    43W
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount, Wettable Flank
  • pakej/kes
    8-PowerVDFN
  • pakej peranti pembekal
    PG-TDSON-8-10

IPG20N10S4L35AATMA1 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 30740
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.66868
Harga sasaran:
Jumlah:0.66868

Lembaran data

Muat turun