IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1

Pengeluar

IR (Infineon Technologies)

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    CoolMOS™
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Not For New Designs
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    650 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    9A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    385mOhm @ 5.2A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    3.5V @ 340µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    22 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±20V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    790 pF @ 100 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    83W (Tc)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej peranti pembekal
    PG-TO220-3
  • pakej/kes
    TO-220-3

IPP60R385CPXKSA1 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 13883
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
1.53654
Harga sasaran:
Jumlah:1.53654

Lembaran data

Muat turun