Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Obsolete
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  20 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  60A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  4.5V, 10V
• rds on (maks) @ id, vg
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  2.55V @ 250µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (maks)
  ±20V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  48W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  IPAK (TO-251)
• pakej/kes
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA