Spesifikasi

• siri
  BIMOSFET™
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis igbt
  -
• voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
  3000 V
• semasa - pengumpul (ic) (maks)
  34 A
• arus - pengumpul berdenyut (icm)
  88 A
• vce(on) (maks) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• kuasa - maks
  180 W
• menukar tenaga
  -
• jenis input
  Standard
• caj pintu
  46 nC
• td (hidup/mati) @ 25°c
  36ns/100ns
• keadaan ujian
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• masa pemulihan terbalik (trr)
  1.6 µs
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej/kes
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• pakej peranti pembekal
  TO-263