Spesifikasi

• siri
  BIMOSFET™
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis igbt
  -
• voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
  3000 V
• semasa - pengumpul (ic) (maks)
  80 A
• arus - pengumpul berdenyut (icm)
  280 A
• vce(on) (maks) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 32A
• kuasa - maks
  400 W
• menukar tenaga
  -
• jenis input
  Standard
• caj pintu
  142 nC
• td (hidup/mati) @ 25°c
  -
• keadaan ujian
  -
• masa pemulihan terbalik (trr)
  1.5 µs
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej/kes
  TO-247-3
• pakej peranti pembekal
  TO-247AD (IXBH)