Spesifikasi

• siri
  BIMOSFET™
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis igbt
  -
• voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
  1700 V
• semasa - pengumpul (ic) (maks)
  42 A
• arus - pengumpul berdenyut (icm)
  265 A
• vce(on) (maks) @ vge, ic
  6V @ 15V, 21A
• kuasa - maks
  357 W
• menukar tenaga
  3.43mJ (on), 430µJ (off)
• jenis input
  Standard
• caj pintu
  188 nC
• td (hidup/mati) @ 25°c
  19ns/200ns
• keadaan ujian
  850V, 21A, 1Ohm, 15V
• masa pemulihan terbalik (trr)
  330 ns
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej/kes
  TO-247-3
• pakej peranti pembekal
  TO-247AD (IXBH)