Spesifikasi

• siri
  BIMOSFET™
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis igbt
  -
• voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
  3600 V
• semasa - pengumpul (ic) (maks)
  125 A
• arus - pengumpul berdenyut (icm)
  420 A
• vce(on) (maks) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• kuasa - maks
  660 W
• menukar tenaga
  -
• jenis input
  Standard
• caj pintu
  210 nC
• td (hidup/mati) @ 25°c
  46ns/205ns
• keadaan ujian
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• masa pemulihan terbalik (trr)
  1.7 µs
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej/kes
  TO-247-3 Variant
• pakej peranti pembekal
  TO-247PLUS-HV