APT29F100B2

APT29F100B2

Pengeluar

Roving Networks / Microchip Technology

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    POWER MOS 8™
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    1000 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    30A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    440mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    5V @ 2.5mA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    260 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±30V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    8500 pF @ 25 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    1040W (Tc)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej peranti pembekal
    T-MAX™ [B2]
  • pakej/kes
    TO-247-3 Variant

APT29F100B2 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 4369
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
14.80000
Harga sasaran:
Jumlah:14.80000

Lembaran data

Muat turun