Spesifikasi

• siri
  POWER MOS 8™
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis igbt
  PT
• voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
  600 V
• semasa - pengumpul (ic) (maks)
  65 A
• arus - pengumpul berdenyut (icm)
  109 A
• vce(on) (maks) @ vge, ic
  2.5V @ 15V, 20A
• kuasa - maks
  290 W
• menukar tenaga
  307µJ (on), 254µJ (off)
• jenis input
  Standard
• caj pintu
  18 nC
• td (hidup/mati) @ 25°c
  16ns/122ns
• keadaan ujian
  400V, 20A, 10Ohm, 15V
• masa pemulihan terbalik (trr)
  -
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej/kes
  TO-247-3
• pakej peranti pembekal
  TO-247 [B]