FQPF7N80C

FQPF7N80C

Pengeluar

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F

Spesifikasi

  • siri
    QFET®
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    800 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    6.6A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    1.9Ohm @ 3.3A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    5V @ 250µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±30V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    1680 pF @ 25 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    56W (Tc)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej peranti pembekal
    TO-220F
  • pakej/kes
    TO-220-3 Full Pack

FQPF7N80C Permintaan Sebutharga

Dalam stok 14445
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
2.21000
Harga sasaran:
Jumlah:2.21000

Lembaran data