NXH25C120L2C2SG

NXH25C120L2C2SG

Pengeluar

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

kategori Produk

transistor - igbts - modul

Penerangan

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    -
  • konfigurasi
    Three Phase Inverter with Brake
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    1200 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    25 A
  • kuasa - maks
    20 mW
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 25A
  • semasa - pemotongan pengumpul (maks)
    250 µA
  • kemuatan input (cies) @ vce
    6.2 nF @ 20 V
  • input
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ntc termistor
    Yes
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • pakej peranti pembekal
    26-DIP

NXH25C120L2C2SG Permintaan Sebutharga

Dalam stok 2025
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
46.11000
Harga sasaran:
Jumlah:46.11000