Spesifikasi

• siri
  -
• pakej
  Tray
• status bahagian
  Active
• jenis diod
  Silicon Carbide Schottky
• voltan - dc terbalik (vr) (maks)
  1200 V
• semasa - purata dibetulkan (io)
  61A (DC)
• voltan - ke hadapan (vf) (maks) @ jika
  1.75 V @ 40 A
• kelajuan
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• masa pemulihan terbalik (trr)
  0 ns
• semasa - kebocoran terbalik @ vr
  200 µA @ 1200 V
• kemuatan @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej/kes
  Die
• pakej peranti pembekal
  Die
• suhu operasi - simpang
  -55°C ~ 175°C