Spesifikasi

• siri
  SIPMOS®
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Obsolete
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  600 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  120mA (Ta)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  0V, 10V
• rds on (maks) @ id, vg
  45Ohm @ 120mA, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  1V @ 94µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  4.9 nC @ 5 V
• vgs (maks)
  ±20V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  146 pF @ 25 V
• ciri fet
  Depletion Mode
• pelesapan kuasa (maks)
  1.8W (Ta)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  PG-SOT223-4
• pakej/kes
  TO-261-4, TO-261AA