Spesifikasi

• siri
  NexFET™
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  25 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  -
• rds on (maks) @ id, vg
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  2.1V @ 250µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (maks)
  +16V, -12V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  3.1W (Ta)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  8-VSON-CLIP (5x6)
• pakej/kes
  8-PowerTDFN