DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - igbts - modul

Penerangan

DF120R12W - IGBT MODULE

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    -
  • konfigurasi
    Three Phase Inverter
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    1.2 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    50 A
  • kuasa - maks
    180 W
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • semasa - pemotongan pengumpul (maks)
    1 mA
  • kemuatan input (cies) @ vce
    2.35 nF @ 25 V
  • input
    Standard
  • ntc termistor
    Yes
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 150°C
  • jenis pelekap
    Chassis Mount
  • pakej/kes
    Module
  • pakej peranti pembekal
    Module

DF120R12W2H3B27BOMA1 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 2072
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
44.58000
Harga sasaran:
Jumlah:44.58000

Lembaran data