Spesifikasi

• siri
  SuperFET® II
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  800 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  10V
• rds on (maks) @ id, vg
  1.3Ohm @ 2A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  4.5V @ 400µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  21 nC @ 10 V
• vgs (maks)
  ±20V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  880 pF @ 100 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  24W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  TO-220F-3 (Y-Forming)
• pakej/kes
  TO-220-3 Full Pack, Formed Leads