FGA40T65SHDF

FGA40T65SHDF

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    Trench Field Stop
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    650 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    80 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    120 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    1.81V @ 15V, 40A
  • kuasa - maks
    268 W
  • menukar tenaga
    1.22mJ (on), 440µJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    68 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    18ns/64ns
  • keadaan ujian
    400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    101 ns
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-3P-3, SC-65-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-3PN

FGA40T65SHDF Permintaan Sebutharga

Dalam stok 14392
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
2.23000
Harga sasaran:
Jumlah:2.23000

Lembaran data