FQA70N15

FQA70N15

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Spesifikasi

  • siri
    QFET®
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    150 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    70A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    28mOhm @ 35A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    4V @ 250µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    175 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±25V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    5.4 pF @ 25 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    330W (Tc)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej peranti pembekal
    TO-3PN
  • pakej/kes
    TO-3P-3, SC-65-3

FQA70N15 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 11747
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
1.86000
Harga sasaran:
Jumlah:1.86000

Lembaran data