HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

IGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    NPT
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    1.2 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    54 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    165 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 18A
  • kuasa - maks
    390 W
  • menukar tenaga
    800µJ (on), 1.8mJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    165 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    23ns/170ns
  • keadaan ujian
    960V, 18A, 3Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    -
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-247-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-247-3

HGTG18N120BN Permintaan Sebutharga

Dalam stok 8883
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
6.32000
Harga sasaran:
Jumlah:6.32000

Lembaran data

Muat turun