HGTG20N60B3

HGTG20N60B3

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

N-CHANNEL IGBT

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Obsolete
  • jenis igbt
    -
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    600 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    40 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    160 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2V @ 15V, 20A
  • kuasa - maks
    165 W
  • menukar tenaga
    475µJ (on), 1.05mJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    80 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    -
  • keadaan ujian
    480V, 20A, 10Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    -
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-247-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-247-3

HGTG20N60B3 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 9947
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
3.31000
Harga sasaran:
Jumlah:3.31000

Lembaran data