Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  25 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  4.5V, 10V
• rds on (maks) @ id, vg
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  2.1V @ 50µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (maks)
  ±16V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Suhu Operasi
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  DIRECTFET™ S3C
• pakej/kes
  DirectFET™ Isometric S3C