Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  20 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  2.7V, 4.5V
• rds on (maks) @ id, vg
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (maks) @ id
  700mV @ 250µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (maks)
  ±12V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  650 pF @ 15 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  2.5W (Ta)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  8-SO
• pakej/kes
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)