IRF9910PBF

IRF9910PBF

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tatasusunan

Penerangan

N-CHANNEL POWER MOSFET

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    HEXFET®
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Obsolete
  • jenis fet
    2 N-Channel (Dual)
  • ciri fet
    Logic Level Gate
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    20V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    10A, 12A
  • rds on (maks) @ id, vg
    13.4mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    2.55V @ 250µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    11nC @ 4.5V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    900pF @ 10V
  • kuasa - maks
    2W
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej/kes
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pakej peranti pembekal
    8-SO

IRF9910PBF Permintaan Sebutharga

Dalam stok 23614
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.44000
Harga sasaran:
Jumlah:0.44000

Lembaran data

Muat turun