Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  75 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  56A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  10V
• rds on (maks) @ id, vg
  9mOhm @ 46A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  4V @ 100µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  84 nC @ 10 V
• vgs (maks)
  ±20V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  3.07 pF @ 50 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  140W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  IPAK (TO-251)
• pakej/kes
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA