Spesifikasi

• siri
  HEXFET®
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  55 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  51A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  -
• rds on (maks) @ id, vg
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (maks) @ id
  3V @ 250µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (maks)
  ±16V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  80W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  PG-TO263-3-2
• pakej/kes
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB