Spesifikasi

• siri
  TrenchMOS™
• pakej
  Bulk
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  MOSFET (Metal Oxide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  55 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  -
• rds on (maks) @ id, vg
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (maks) @ id
  2V @ 1mA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (maks)
  ±13V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• jenis pelekap
  Surface Mount
• pakej peranti pembekal
  SC-73
• pakej/kes
  TO-261-4, TO-261AA