SPD03N50C3ATMA1

SPD03N50C3ATMA1

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    CoolMOS™
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    500 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    3.2A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    1.4Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    3.9V @ 135µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    15 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±20V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    350 pF @ 25 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    38W (Tc)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej peranti pembekal
    PG-TO252-3-1
  • pakej/kes
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPD03N50C3ATMA1 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 20879
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.50000
Harga sasaran:
Jumlah:0.50000

Lembaran data

Muat turun