SPP21N10

SPP21N10

Pengeluar

Rochester Electronics

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3

Spesifikasi

  • siri
    SIPMOS®
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Obsolete
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    100 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    21A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    80mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    4V @ 44µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    38.4 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±20V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    865 pF @ 25 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    90W (Tc)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej peranti pembekal
    PG-TO220-3-1
  • pakej/kes
    TO-220-3

SPP21N10 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 33636
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.61000
Harga sasaran:
Jumlah:0.61000

Lembaran data