Spesifikasi

• siri
  -
• pakej
  Tray
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  1200 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  400A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  -
• rds on (maks) @ id, vg
  -
• vgs(th) (maks) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  -
• vgs (maks)
  +22V, -4V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  1570W (Tc)
• Suhu Operasi
  175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Chassis Mount
• pakej peranti pembekal
  Module
• pakej/kes
  Module