RGCL80TS60DGC11

RGCL80TS60DGC11

Pengeluar

ROHM Semiconductor

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

IGBT

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Bulk
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    Trench Field Stop
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    600 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    65 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    160 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • kuasa - maks
    148 W
  • menukar tenaga
    1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    98 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    53ns/227ns
  • keadaan ujian
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    58 ns
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-247-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-247N

RGCL80TS60DGC11 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 7834
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
4.37000
Harga sasaran:
Jumlah:4.37000