RGS50TSX2DGC11

RGS50TSX2DGC11

Pengeluar

ROHM Semiconductor

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    Trench Field Stop
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    1200 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    50 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    75 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 25A
  • kuasa - maks
    395 W
  • menukar tenaga
    1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    67 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    37ns/140ns
  • keadaan ujian
    600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    182 ns
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-247-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-247N

RGS50TSX2DGC11 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 6920
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
8.35000
Harga sasaran:
Jumlah:8.35000