RGTV60TK65DGVC11

RGTV60TK65DGVC11

Pengeluar

ROHM Semiconductor

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    Trench Field Stop
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    650 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    33 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    120 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • kuasa - maks
    76 W
  • menukar tenaga
    570µJ (on), 500µJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    64 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    33ns/105ns
  • keadaan ujian
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    95 ns
  • Suhu Operasi
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-3PFM, SC-93-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-3PFM

RGTV60TK65DGVC11 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 9212
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
5.95000
Harga sasaran:
Jumlah:5.95000

Lembaran data