Spesifikasi

• siri
  -
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  1200 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  18V
• rds on (maks) @ id, vg
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (maks) @ id
  4V @ 900µA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (maks)
  +22V, -6V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  463 pF @ 800 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  85W (Tc)
• Suhu Operasi
  175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  TO-247
• pakej/kes
  TO-247-3