Spesifikasi

• siri
  -
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  650 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  45A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  18V, 20V
• rds on (maks) @ id, vg
  72mOhm @ 20A, 20V
• vgs(th) (maks) @ id
  3.2V @ 1mA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  73 nC @ 20 V
• vgs (maks)
  +20V, -5V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  73000 pF @ 400 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  208W (Tc)
• Suhu Operasi
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  TO-247 Long Leads
• pakej/kes
  TO-247-3