STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

Pengeluar

STMicroelectronics

kategori Produk

transistor - igbts - tunggal

Penerangan

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis igbt
    Trench Field Stop
  • voltan - kerosakan pemancar pengumpul (maks)
    650 V
  • semasa - pengumpul (ic) (maks)
    120 A
  • arus - pengumpul berdenyut (icm)
    240 A
  • vce(on) (maks) @ vge, ic
    2V @ 15V, 80A
  • kuasa - maks
    469 W
  • menukar tenaga
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • jenis input
    Standard
  • caj pintu
    414 nC
  • td (hidup/mati) @ 25°c
    84ns/280ns
  • keadaan ujian
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    -
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-3P-3, SC-65-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-3P

STGWT80H65FB Permintaan Sebutharga

Dalam stok 9626
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
5.76000
Harga sasaran:
Jumlah:5.76000

Lembaran data