TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

Pengeluar

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Spesifikasi

  • siri
    U-MOSVIII-H
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    60 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    100A (Ta)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    2.3mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    4V @ 1mA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    140 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±20V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    10500 pF @ 30 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    255W (Tc)
  • Suhu Operasi
    150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej peranti pembekal
    TO-220
  • pakej/kes
    TO-220-3

TK100E06N1,S1X Permintaan Sebutharga

Dalam stok 12413
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
2.62000
Harga sasaran:
Jumlah:2.62000

Lembaran data