TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

Pengeluar

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    U-MOSVIII-H
  • pakej
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    100 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    17A (Tc)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    16mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    4V @ 200µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    19 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±20V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    1600 pF @ 50 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    700mW (Ta), 42W (Tc)
  • Suhu Operasi
    150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej peranti pembekal
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • pakej/kes
    8-PowerVDFN

TPN1600ANH,L1Q Permintaan Sebutharga

Dalam stok 21900
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.95000
Harga sasaran:
Jumlah:0.95000

Lembaran data

Muat turun