TRS16N65FB,S1Q

TRS16N65FB,S1Q

Pengeluar

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

kategori Produk

diod - penerus - tatasusunan

Penerangan

SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • konfigurasi diod
    1 Pair Common Cathode
  • jenis diod
    Silicon Carbide Schottky
  • voltan - dc terbalik (vr) (maks)
    650 V
  • semasa - purata diperbetulkan (io) (setiap diod)
    8A (DC)
  • voltan - ke hadapan (vf) (maks) @ jika
    1.6 V @ 8 A
  • kelajuan
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    0 ns
  • semasa - kebocoran terbalik @ vr
    40 µA @ 650 V
  • suhu operasi - simpang
    175°C
  • jenis pelekap
    Through Hole
  • pakej/kes
    TO-247-3
  • pakej peranti pembekal
    TO-247

TRS16N65FB,S1Q Permintaan Sebutharga

Dalam stok 8921
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
6.26000
Harga sasaran:
Jumlah:6.26000