NSB8JT-E3/45

NSB8JT-E3/45

Pengeluar

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

kategori Produk

diod - penerus - tunggal

Penerangan

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    -
  • pakej
    Tube
  • status bahagian
    Active
  • jenis diod
    Standard
  • voltan - dc terbalik (vr) (maks)
    600 V
  • semasa - purata dibetulkan (io)
    8A
  • voltan - ke hadapan (vf) (maks) @ jika
    1.1 V @ 8 A
  • kelajuan
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • masa pemulihan terbalik (trr)
    -
  • semasa - kebocoran terbalik @ vr
    10 µA @ 600 V
  • kemuatan @ vr, f
    55pF @ 4V, 1MHz
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej/kes
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pakej peranti pembekal
    TO-263AB
  • suhu operasi - simpang
    -55°C ~ 150°C

NSB8JT-E3/45 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 39904
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.51202
Harga sasaran:
Jumlah:0.51202

Lembaran data

Muat turun