SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Pengeluar

Vishay / Siliconix

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tatasusunan

Penerangan

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian

Spesifikasi

  • siri
    TrenchFET®
  • pakej
    Tape & Reel (TR)
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    2 P-Channel (Dual)
  • ciri fet
    Logic Level Gate
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    30V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    5.3A
  • rds on (maks) @ id, vg
    25mOhm @ 7.1A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    3V @ 250µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    50nC @ 10V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    -
  • kuasa - maks
    1.1W
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej/kes
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pakej peranti pembekal
    8-SO

SI4925BDY-T1-GE3 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 25112
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.82500
Harga sasaran:
Jumlah:0.82500

Lembaran data

Muat turun