SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Pengeluar

Vishay / Siliconix

kategori Produk

transistor - fets, mosfets - tunggal

Penerangan

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8

Spesifikasi

  • siri
    TrenchFET®
  • pakej
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • status bahagian
    Active
  • jenis fet
    N-Channel
  • teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • longkang ke sumber voltan (vdss)
    30 V
  • arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
    9A (Ta)
  • voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
    4.5V, 10V
  • rds on (maks) @ id, vg
    11mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (maks) @ id
    3V @ 250µA
  • caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
    28 nC @ 10 V
  • vgs (maks)
    ±25V
  • kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
    1100 pF @ 15 V
  • ciri fet
    -
  • pelesapan kuasa (maks)
    1.5W (Ta)
  • Suhu Operasi
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • jenis pelekap
    Surface Mount
  • pakej peranti pembekal
    PowerPAK® 1212-8
  • pakej/kes
    PowerPAK® 1212-8

SIS406DN-T1-GE3 Permintaan Sebutharga

Dalam stok 24360
Kuantiti:
Harga Unit (Harga Rujukan):
0.85000
Harga sasaran:
Jumlah:0.85000

Lembaran data