Spesifikasi

• siri
  C3M™
• pakej
  Tube
• status bahagian
  Active
• jenis fet
  N-Channel
• teknologi
  SiCFET (Silicon Carbide)
• longkang ke sumber voltan (vdss)
  650 V
• arus - longkang berterusan (id) @ 25°c
  97A (Tc)
• voltan pemacu (maksimum rds hidup, min rds hidup)
  15V
• rds on (maks) @ id, vg
  34mOhm @ 33.5A, 15V
• vgs(th) (maks) @ id
  3.6V @ 9.22mA
• caj gerbang (qg) (maks) @ vgs
  108 nC @ 15 V
• vgs (maks)
  +19V, -8V
• kemuatan input (ciss) (maks) @ vds
  2980 pF @ 600 V
• ciri fet
  -
• pelesapan kuasa (maks)
  326W (Tc)
• Suhu Operasi
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• jenis pelekap
  Through Hole
• pakej peranti pembekal
  TO-247-3
• pakej/kes
  TO-247-3