-
-
Harga Rendah melalui Factory-Direct
Bekerjasama dengan kilang elektronik secara langsung untuk memotong orang tengah. Asli baru dengan harga rendah dan diskaun
-
Kebolehpercayaan Selamat & Berkualiti
Sistem insurans yang berkualiti untuk kualiti produk yang luar biasa. Menepati Masa, Setiap Masa penyediaan Komponen Kualiti.
-
Lebih 15 juta Inventori
100+ Pengilang global terkenal, lebih 15 juta inventori. Stok tersedia yang menyokong pembelian terus dengan harga diskaun.
-
Perkhidmatan Mesra Pelanggan
Penyelesaian sehenti yang diperibadikan kepada keperluan unik anda. Sokongan dalam laman web 12 Bahasa, lebih kemudahan & perkhidmatan pantas.
WAB300M12BM3
Pengeluar
kategori Produk
transistor - fets, mosfets - tatasusunan
Penerangan
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
E-mel RFQ: [email protected] or Bertanya dalam talian
Spesifikasi
-
siri-
-
pakejBulk
-
status bahagianActive
-
jenis fet2 N-Channel (Half Bridge)
-
ciri fetSilicon Carbide (SiC)
-
longkang ke sumber voltan (vdss)1200V (1.2kV)
-
arus - longkang berterusan (id) @ 25°c382A (Tc)
-
rds on (maks) @ id, vg5.2mOhm @ 300A, 15V
-
vgs(th) (maks) @ id3.6V @ 92mA
-
caj gerbang (qg) (maks) @ vgs908nC @ 15V
-
kemuatan input (ciss) (maks) @ vds24500pF @ 1000V
-
kuasa - maks-
-
Suhu Operasi-40°C ~ 175°C (TJ)
-
jenis pelekapChassis Mount
-
pakej/kesModule
-
pakej peranti pembekalModule
